Industrie
Halbleiter
Inspektion eines
silizium-wafers
Eliminierung von Reflexionen und gleichmäßige Ausleuchtung
der Mikrostrukturen eines Silizium-Wafers.
Bei der Verwendung von L.E.S.S.-Licht profitiert der Anwender
von einer gleichmäßigen Ausleuchtung mit weißem Licht (5400 K)
Abb. 1 – Bild eines Wafers, beleuchtet mit einem LED-Ringlicht der Einstiegsklasse
Das Bild in Abb. 1 mit einem LED-Ring der Einstiegsklasse bei einem Arbeitsabstand von 100 mm aufgenommen. Es sind große Schattenbereiche vorhanden und es treten unerwünschte Reflexionen auf der Oberfläche des Wafers auf. Die verschiedenen Bereiche sind nicht gleichmäßig ausgeleuchtet, so dass einige Gravuren nicht zu erkennen sind.
Abb. 2 – Bild eines Wafers beleuchtet
mit einem L.E.S.S.-Ringlicht
Das Bild in Abbildung 2 wurde mit der L.E.S.S.-Ringlicht (BF-5400) bei einem Arbeitsabstand von 100 mm aufgenommen. Die Oberflächenstruktur ist vollständig sichtbar. Es gibt keine Schattenbereiche auf den Mikrostrukturen, so dass alle Details beobachtet werden können.
Die Gleichmäßigkeit der Beleuchtung führt zu scharfen, gut definierten Bildern, die eine schnellere und genauere und zuverlässigere Inspektion der Probe ermöglichen.
Problematisch
Die Verwendung von Standard-LED-Beleuchtungen zur Inspektion eines Silizium-Wafers erzeugt unerwünschte Reflexionen auf der Oberfläche der Probe, die die Bildqualität beeinträchtigen.
Unsere Lösung
Mit dem L.E.S.S.-Licht profitiert der Anwender von einer gleichmäßigen Ausleuchtung mit neutralweißem Licht (5400°).
Das Licht der L.E.S.S.-Hellfeld-Beleuchtung trifft mit optimaler Intensität und ohne Wärmeabstrahlung von oben auf die Probe
Problematisch
Die Verwendung von Standard-LED-Beleuchtungen zur Inspektion eines Silizium-Wafers erzeugt unerwünschte Reflexionen auf der Oberfläche der Probe, die die Bildqualität beeinträchtigen.
Unsere Lösung
Mit dem L.E.S.S.-Licht profitiert der Anwender von einer gleichmäßigen Ausleuchtung mit neutralweißem Licht (5400°).
Das Licht der L.E.S.S.-Hellfeld-Beleuchtung trifft mit optimaler Intensität und ohne Wärmeabstrahlung von oben auf die Probe
